Е.А. Москатов. Симметричный мультивибратор 4.0.0.0

«Symmetrical multivibrator 4.0.0.0» (760кб), позволяющая рассчитывать симметричные мультивибраторы с коллекторнобазовыми связями на двух биполярных транзисторах.

Симметричный мультивибратор 4.0.0.0 общий вид программы

Симметричный мультивибратор относится к группе релаксационных генераторов – генераторов колебаний сложной формы. Мультивибратор имеет накопитель энергии в виде конденсатора и электронный ключ, переключение которого обусловлено запасом энергии в накопителе. Форма колебаний мультивибратора близка к прямоугольной. Постоянные времени цепей разряда конденсаторов C1 и C2 соответственно равны: t1 = C1 • R2 • ln 2 и t2 = C2 • R3 • ln 2 (смотрите схему рис. 1).

Симметричный мультивибратор принципиальная схема
Рис1. Принципиальная схема мультивибратора.

Мультивибратор может быть как симметричным, так и несимметричным. У симметричного мультивибратора коллекторные сопротивления в обоих плечах одинаковы, одинаковы базовые сопротивления и ёмкости. Программа «Symmetrical multivibrator 4.0.0.0» позволяет рассчитывать только симметричные мультивибраторы.

Принцип работы симметричного мультивибратора. Рассмотрим принципиальную схему мультивибратора, показанную в основном окне программы. Допустим, что при закрытом транзисторе VT1 и открытом транзисторе VT2 конденсатор C1 был заряжен до напряжения Uc1 ≈ Uип. Пусть в начальный момент времени транзистор VT1 открывается и переходит в насыщенное состояние, а транзистор VT2 запирается и переходит в состояние отсечки. В этот момент времени всё напряжение на конденсаторе C1 прикладывается положительным потенциалом к базе транзистора VT2. Транзистор VT2 запирается. Конденсатор C1 начинает разряжаться за счёт протекания тока разряда через резистор R2, поддерживая потенциал базы транзистора VT2 положительным. Однако этот потенциал уменьшается. В результате транзистор VT2 находится в режиме отсечки. Чтобы транзистор VT2 открылся, необходимо, чтобы конденсатор C1 не только полностью разрядился, но и частично перезарядился до напряжения Uбэ2 ≈ 0,6 В (для кремниевого транзистора). При этом напряжении транзистор VT2 откроется. Одновременно с разрядом конденсатора C1 происходит заряд конденсатора C2 через резистор R4 почти до значения коллекторного напряжения транзистора VT2 (Uc2 ≈ –Uип + Uбэ1). Как только транзистор VT2 откроется, положительный потенциал конденсатора C2 будет подан на базу транзистора VT1 и закроет его. Далее процесс повторяется.

Вы можете Скачать справку (105кб) к программе

 

Е. А. Москатов http://moskatov.narod.ru